高壓VGF單晶爐
高壓VGF單晶爐是制備II一VI族和III一V族化合物半導體材料的關鍵設備。主要應用于半導體磷化銦（nP）、磷化鎵（GaP）等材料的單晶生長。
高壓VGF單晶爐設備特點
· 高壓爐體采用無縫碳鋼鋼管制造，品牌壓力容器資質廠家設計生產，可承受5倍工藝壓力，并有減壓閥，在超過6MPa時自動降壓，降壓口氣體做隔氧處理。
· 爐體底部有水冷降溫結構，可以增強坩堝支撐結構的導熱，利于晶體生長。
· 爐體設備有吸震機構，可以有效把電阻絲通大電流時的震動有效減除，有利于層錯能弱的晶體生長。
· 爐體支架裝有手動調節系統，方便裝取料時對爐體的調節。
· 增壓系統采用進口增壓泵、壓力平衡控制系統、氮氣瓶組成。精度高，反應靈敏，可編程工藝增壓與減壓。并設有壓力極限報警。
· 高精度溫度控制系統，提升工藝成品率。
技術參數
| 爐體結構 | 高壓立式單管狀腔體 |
| 適用單晶尺寸 | Ф3″（可定制） |
| 加熱溫區段數 | 6段（可定制） |
| 顯示及監控段數 | 6段 |
| 控制方式 | 微機控制 |
| 爐體最高工作溫度 | 1250℃ |
| 溫度穩定性 | 優于0.2℃ |
| 生長過程降溫超調 | 優于0.2℃ |
| 溫度顯示精度 | 0.1℃ |
| 溫度控制精度 | ±0.1℃ |
| 相鄰控溫熱偶可設定溫度差 | 0-3℃/cm |
| 壓力控制 | PID閉環控制 |
| 使用壓力 | 3MPa |
| 腔體最高耐壓 | 15MPa |
| 增壓泵壓力范圍 | 0-7MPa |
