SIC單晶爐
SIC單晶爐是針對碳化硅單晶生長專用工藝設備，也可用于氮化鋁的單晶生長工藝。
SIC單晶爐設備特點
· 設備采用高頻電源感應加熱、水冷感應線圈，水冷箱及高溫密封，并具備對生長室內的高真空度進行檢測、溫度的精確測量、加熱過程的程序化控制，石墨坩堝與感應加熱線圈之間相對位置的調節以及Ar等多種氣體的定量定壓供給等功能，使設備在冷卻、隔熱和抗電磁輻射等方面有著非常好的效果；
· 設備為晶體生長提供一個理想的工藝環境條件，保證SiC晶體的穩定生長；
· 設備可以有效的避免加熱裝置對晶體的污染，同時也相對增加了工作空間。
技術參數
| 加熱溫度 | 最高溫度2500°C |
| 高周波電源 | 50kw，7-15KHz |
| 溫度測量 | 利用上下紅外放射溫度計測溫 |
| 控制方式 | 線圈電流控制(ACC)、放射溫度計控制(ATC) |
| 溫度控制精度 | 手動方式 |
| 氣氛 | 士0.1%FS(ACC)、2500 °C士5 °C (ATC) |
| 極限圧力 | 真空、Ar 、N2 |
| 圧力控制范圍 | 1.33x 10-3Pa (常溫空妒時) (133～101) x105 Pa士0.1%FS， 低圧側 1.0～100.0士0.1 Torr， 高圧側100～760士5 Torr |
