CK500高真空多靶磁控濺射鍍膜機
CK500高真空多靶磁控濺射鍍膜機主要由鍍膜腔室（φ500×H430mm），永磁圓形平面靶，真空系統，旋轉加熱基片臺，氣路系統，電氣控制及報警保護系統等組成。
設備特點及主要用途
CK500高真空多靶磁控濺射鍍膜機主要由真空專用不銹鋼腔室、四只3英寸圓形平面磁控靶；直流、射頻濺射電源各一臺。機械泵+分子泵高真空系統、旋轉、加熱基片臺（室溫至300±1℃可調可控）、機架、氣路、水路、邏輯按鈕控制及安全保護等組成。該設備選配電源可具備四靶共濺射功能，實現一機多用，可開發納米級單層或多層的導電膜、金屬膜、半導體膜、絕緣膜等。整機結構緊湊、占地小、操作方便、抽真空速度快。
技術參數
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真空腔室 |
φ500×H430mm |
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真空系統 |
復合分子泵+直聯旋片泵,氣動真空閥門 |
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真空極限 |
優于8.0×10-5Pa |
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抽速 |
從大氣抽至6.0×10-3Pa≤15min |
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基片臺 |
基片臺尺寸：φ150mm |
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基片加熱與旋轉 |
襯底加熱：室溫～300℃，自動測溫，PID控溫；基片旋轉：0-50轉/分鐘，可調可控 |
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濺射靶規格 |
3英寸，四只 |
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膜厚不均勻性 |
≤±5% |
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控制方式 |
手動按鈕控制；（自動控制可選） |
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報警及保護 |
缺水報警，強制水冷，過流過壓等異常情況自動執行保護功能 |
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占地面積 |
長×寬: 1700×1600mm |
